关于申报“全国半导体材料技术标准优秀奖” 的通知
各会员单位：
为了鼓励对全国半导体材料标准化事业做出重要贡献的会员单位和个人，调动半导体材料标准化工作者的积极性和创造性，根据《全国半导体材料技术标准优秀奖奖励办法(试行)》（见附件1），2012年全国半导体材料分标委会（TC203/SC2）年会将对符合奖励要求的标准项目进行表彰，各标准负责起草单位根据《奖励办法》可申报“全国半导体材料技术标准优秀奖”，并填写申报书（见附件2），于2012年10月10日前返回秘书处(电子版发送E-Mail: hhddjj@263.net)。标委会年会前将评审并公示评审结果。全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会秘书处根据《奖励办法》的要求进行了初步提名（见附件3），提名范围之外的标准项目，如果认为符合要求的，也可自行申报。 如需要查新报告的单位可以联系有色金属联机检索查新咨询部（联系人：王平，电话/传真：010-62220714）。
附件3：标委会秘书处对“技术标准优秀奖项目”初步提名
附件3:
标委会秘书处对“技术标准优秀奖项目”初步提名
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序号 |
标准项目 |
起草单位 |
秘书处 |
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1. |
硅材料原生缺陷图谱 |
有研半导体材料股份有限公司等 |
半导体材料分标委
(电话及传真：010-62228796) |
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2. |
碲化镉 |
清远先导稀有材料有限公司、山东省阳谷祥光铜业有限公司等 | |
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3. |
多晶硅企业单位产品能源消耗限额 |
洛阳中硅高科技有限公司、多晶硅制备技术国家工程实验室、中国恩菲工程技术有限公司等 |
