关于2012年度“全国半导体材料技术标准优秀奖”评选结果公示的函
各会员单位及各位委员：
根据《关于申报“全国半导体材料技术标准优秀奖”的通知》（半材标委[2012]12号）文的要求，各会员单位申报标准优秀奖项目共3项。2012年10月24日，在北京召开专家评审会，共评选出一等奖1项，二等奖1，三等奖1项（具体项目名称见附件1）。
特此网上公示，并征求全体委员和会员单位的意见，意见反馈截止日为11月16日。
附件1： 2012年度半导体材料技术标准优秀奖项目评选结果
附件1
2012年度半导体材料技术标准优秀奖项目评选结果
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序号 |
标准项目 |
起草单位 |
备注 |
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1. |
硅材料原生缺陷图谱 |
有研半导体材料股份有限公司、东方电气峨眉半导体材料有限公司、南京国盛电子有限公司、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、陕西天宏硅材料有限责任公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所 |
一等奖
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2. |
多晶硅企业单位产品能源消耗限额 |
洛阳中硅高科技有限公司、中国恩菲工程技术有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所、江苏中能硅业科技发展有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司、乐山乐电天威硅业科技有限责任公司、江西赛维LDK光伏硅科技有限公司、陕西天宏硅材料有限责任公司、亚洲硅业（青海）有限公司、特变电工新疆硅业有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、内蒙古神舟硅业有限责任公司 |
二等奖
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3. |
碲化镉 |
清远先导稀有材料有限公司、阳谷祥光铜业有限公司等 |
三等奖
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