“半导体材料技术标准优秀奖”和标准化先进工作者评选结果公示
2011-11-02 16:20:53   

各会员单位及各位委员：

    根据《关于申报“全国半导体材料技术标准优秀奖”的通知》（半材标委[2011]11号）文的要求，各会员单位申报标准优秀奖项目共4项。2011年10月18日，在北京召开专家评审会，共评选出一等奖1项，二等奖1，三等奖1项（具体项目名称见附件1）。

    根据《关于申报2010～2011年半导体材料标准化先进工作者的通知》（半材标委[2011]14号）的要求，截止至10月14日,各会员单位完成了2011年半导体材料标准化先进工作者的申报工作。按照条件要求，经全国半导体材料分标准化技术委员会秘书处认真慎重的研究，初选出附件2中所列5名半导体材料标准化先进工作者。

    特此网上公示，并征求全体委员和会员单位的意见，意见反馈截止日为十一月十日。

    附件1： 2011年度半导体材料技术标准优秀奖项目评选结果

    附件2： 2011年半导体材料标准化先进工作者初选名单

 

附件1： 2011年度半导体材料技术标准优秀奖项目评选结果

序号	标准项目	起草单位	备注
1.	锗单位产品能源消耗限额	云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、南京中锗科技股份有限公司、北京国晶辉红外光学科技有限公司、驰宏锌锗股份有限公司、中金岭南韶关冶炼厂、内蒙通力锗业有限公司	一等奖
2.	硅外延用三氯氢硅	南京中锗科技股份有限公司、南京国盛电子有限公司	二等奖
3.	高纯锑化学分析方法 镁、锌、镍、铜、银、镉、铁、硫、砷、金、锰、铅、铋、硅、硒含量的测定 高质量分辨率辉光放电质谱法	东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司、北京有色金属研究总院、兰州金川新材料科技股份有限公司	三等奖

 

 

附件2：2011年半导体材料标准化先进工作者初选名单