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标准号 |
标准名称 |
代替标号 |
国家/行业 |
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DIN 50450-2:1991 | 半导体材料测试技术：载气和掺杂气体杂质含量测量－采用原电池法测量氧中N2、Ar、He、Ne、H2杂质含量 | ||
32 |
DIN 50450-3:1987 | 半导体材料测试技术：载气和掺杂气体杂质含量测量－采用火焰电离检测器（FID）测量甲烷中H2，O2，N2，Ar和He杂质含量 | ||
33 |
DIN 50450-4:1993 | 半导体材料测试技术：载气和掺杂气体杂质含量测量－采用气相色谱分析法测量氮中C1-C3-烃基含量 | ||
34 |
DIN 50450-9:2003 | 半导体材料测试技术：载气和掺杂气体杂质含量测量－9部分：采用气相色谱分析法测量气态氯化氢中氧、氮、一氧化碳、二氧化碳、氢和C1-C3-烃基含量 | ||
35 |
DIN 50451-1:2003 | 半导体材料测试技术：液体中微量元素的测定－1部分：采用AAS法测量硝酸中银、金、钙、铜、铁、钾和钠含量 | ||
36 |
DIN 50451-2:2003 | 半导体材料测试技术：液体中微量元素的测定－2部分：采用等离子体感应发射光谱法测量氢氟酸中钙、钴、铬、铜、铁、镍和锌含量 | ||
37 |
DIN 50451-3:2003 | 半导体材料测试技术：液体中微量元素的测定－3部分：采用ICP-MS测量硝酸中铝、钴、铜、钠、镍和锌含量 | ||
38 |
DIN 50451-4:2007 | 半导体材料测试技术：液体中微量元素的测定－4部分：采用感应耦合等离子体法（ICP-MS）测量超纯水中34种元素含量 | ||
39 |
DIN 50452-1:1995 | 半导体材料测试技术：液体中粒子的分析方法－1部分：微粒的显微测量法 | ||
40 |
DIN 50452-2:1991 | 半导体材料测试技术：液体中粒子的分析方法：采用光学粒子计数器测量粒子 | ||
41 |
DIN 50452-3:1995 | 半导体材料测试技术：液体中粒子的分析方法－3部分：光学粒子计数器校正 | ||
42 |
DIN 50453-1:1990 | 半导体材料测试技术：腐蚀剂速率测试 二氧化硅 重量法 | ||
43 |
DIN 50453-2:1990 | 半导体材料测试技术：腐蚀剂速率测试 二氧化硅包覆层 光学法 | ||
44 |
DIN 50454-1:2000 | 半导体材料测试技术：III-V族化合物半导体单晶位错测量 1部分：砷化镓 | ||
45 |
DIN 50454-2:1994 | 半导体材料测试技术：III-V族化合物半导体单晶位错腐蚀坑密度测量 2部分：磷化铟 | ||
46 |
DIN 50454-3:1994 | 半导体材料测试技术：III-V族化合物半导体单晶位错腐蚀坑密度测量 3部分：磷化镓 | ||
47 |
DIN 50455-1:1991 | 半导体材料测试技术：光敏特性方法 光学法测量包覆层厚度 | ||
48 |
DIN 50455-2:1999 | 半导体材料测试技术：光敏特性方法 2部分：正性光致抗蚀剂光敏性的测量 | ||
49 |
DIN 50456-1:1991 | 半导体工艺材料检验 鉴定电子元件用模压组件的方法 环氧树脂模压组件热－机械膨胀的测定 | ||
50 |
DIN 50456-3:1999 | 半导体材料测试技术：电子元件组件用光敏特性方法 3部分：阳离子杂质含量测定 | ||
51 |
DIN V VDE V 0126-18-2-1:2007 | 太阳能级晶片 2-1部分：硅片几何尺寸测量方法－晶片厚度 | ||
52 |
DIN V VDE V 0126-18-2-2:2007 | 太阳能级晶片 2-2部分：硅片几何尺寸测量方法－厚度变化 | ||
53 |
DIN V VDE V 0126-18-2-3:2007 | 太阳能级晶片 2-2部分：硅片几何尺寸测量方法－波纹和翘曲度 | ||
54 |
DIN V VDE V 0126-18-2-4:2007 | 太阳能级晶片 2-2部分：硅片几何尺寸测量方法－刀痕和阶梯型刀痕 | ||
55 |
DIN V VDE V 0126-18-3:2007 | 太阳能级硅片 3部分：晶体硅片碱性腐蚀损坏－单晶和多晶硅片腐蚀速率的测量（如切口） | ||
56 |
DIN V VDE V 0126-18-4-1:2007 | 太阳能级硅片 4-1部分：硅片电性能测试规程－少数载流子寿命在线测量方法 | ||
57 |
DIN V VDE V 0126-18-4-2:2007 | 太阳能级硅片 4-2部分：硅片电性能测试规程－少数载流子寿命实验室测量方法 | ||
58 |
DIN V VDE V 0126-18-5:2007 | 太阳能级硅片 5部分：硅片电阻测量规程 | ||
59 |
DIN V VDE V 0126-18-6:2007 | 太阳能级硅片 5部分：光伏用硅片中代位碳原子和间隙氧原子含量测量方法 | ||
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