首页 > 标准目录列表
序号 |
标准号 |
标准名称 |
代替标号 |
国家/行业 |
1 |
DIN 50430:1980 | 半导体无机材料试验 直流二探针法测定棒形硅或锗单晶体电阻率 | ||
2 |
DIN 50431:1988 | 半导体无机材料试验 直流四探针法测定（探头线性排列）硅或锗单晶体电阻率 | ||
3 |
DIN 50432:1980 | 半导体无机材料试验 整流试验或热探针法测定硅或锗导电率 | ||
4 |
DIN 50433-1:1976 | 半导体无机材料试验 X光衍射测定单晶晶向 | ||
5 |
DIN 50433-2:1976 | 半导体无机材料试验 光反射图像测定单晶晶向 | ||
6 |
DIN 50433-3:1982 | 半导体无机材料试验 劳埃（背反射法）测定单晶晶向 | ||
7 |
DIN 50434:1986 | 半导体无机材料试验 在（111）－和（100）－表面上用择优腐蚀技术测定硅单晶结晶的完整性 | ||
8 |
DIN 50435:1988 | 半导体无机材料试验 直流四探针测定硅片或锗片电阻率径向变化 | ||
9 |
DIN 50436:1976 | 半导体无机材料试验 堆垛层错法测定硅外延层金相厚度 | ||
10 |
DIN 50437:1979 | 半导体无机材料试验 红外线干扰法测定硅外延层厚度 | ||
11 |
DIN 50438-1:1995 | 半导体材料测试技术：红外吸收法测量硅中杂质含量－1部分：氧 | ||
12 |
DIN 50438-2:1982 | 半导体无机材料试验 红外线吸收法测定硅中杂质含量 碳 | ||
13 |
DIN 50438-3:1982 | 半导体无机材料试验 红外线吸收法测定硅中杂质含量 硼和磷 | ||
14 |
DIN 50439:1982 | 半导体无机材料试验 电容－电压法和水银接触测定单晶半导体材料的掺杂浓度分布图 | ||
15 |
DIN 50440:1998 | 半导体材料测试技术：硅单晶载流子寿命测量－采用光电导法在低注入条件下测量复合载流子寿命 | ||
16 |
DIN 50441-1:1996 | 半导体材料测试技术：半导体晶片几何尺寸测量－1部分：厚度和厚度变化 | ||
17 |
DIN 50441-2:1998 | 半导体材料测试技术：半导体晶片几何尺寸测量－2部分：边缘轮廓测试方法 | ||
18 |
DIN 50441-3:1985 | 半导体工艺材料检验 半导体片几何尺寸的测定 用多光束干扰法测定抛光片的不平度偏差 | ||
19 |
DIN 50441-4:1999 | 半导体材料测试技术：半导体晶片几何尺寸测量－4部分：晶片直径、参考面直径、参考面长度、参考面深度 | ||
20 |
DIN 50441-5:2001 | 半导体材料测试技术：半导体晶片几何尺寸测量－5部分：形状和平整度术语 | ||
21 |
DIN 50442-1:1981 | 半导体工艺材料检验 圆单晶半导体片的表面结构测定 切片和磨片 | ||
22 |
DIN 50443-1:1988 | 半导体工艺材料检验 用X射线摄影法判断单晶硅的晶体缺陷和不均匀性 | ||
23 |
DIN 50444:1984 | 半导体工艺材料检验 硅中掺杂物密度与电阻率之间的变化关系 | ||
24 |
DIN 50445:1992 | 半导体工艺材料检验 半导体片电阻率的涡流法无接触测定 单一掺杂的半导体片 | ||
25 |
DIN 50446:1995 | 半导体材料测试技术：硅外延层缺陷类型和缺陷浓度测量方法 | ||
26 |
DIN 50447:1995 | 半导体材料测试技术：涡流法无接触测量半导体层中薄层电阻 | ||
27 |
DIN 50448:1998 | 半导体材料测试技术：采用电容探针法无接触测量半绝缘半导体晶片电阻 | ||
28 |
DIN 50449-1:1998 | 半导体材料测试技术：红外吸收法测量半导体杂质含量－1部分：砷化镓中碳量的测定 | ||
29 |
DIN 50449-2:1998 | 半导体材料测试技术：红外吸收法测量半导体中杂质含量－2部分：砷化镓中硼量的测定 | ||
30 |
DIN 50450-1:1987 | 半导体材料测试技术：载气和掺杂气体杂质含量测量－采用五氧化二磷酸细胞法测量水氢、氧、氮、氩和氦杂质含量 | ||
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