首页 > 标准目录列表
序号 |
标准号 |
标准名称 |
代替标号 |
国家/行业 |
61 |
SEMI MF 1389-1110 | Ⅲ－Ⅴ号混杂物中对单晶体硅的光致发光分析的测试方法 | ||
62 |
SEMI MF 1390-0707 | 自动非接触式扫描法测量硅晶片翘曲度的测试方法 | ||
63 |
SEMI MF 1391-1107 | 红外吸收法测试硅中替位碳原子含量 | ||
64 |
SEMI MF 1392-0307 | 用带汞探针的容量－电压测量器测定硅晶片中净载流子密度分布的测试方法 | ||
65 |
SEMI MF 1451-0707 | 用自动无接触扫描法测量硅片峰谷差的方法 | ||
66 |
SEMI MF 1527-0307 | 用于硅电阻测量仪器校准和控制的参考材料和参考晶片的使用指南 | ||
67 |
SEMI MF 1528-0308 | 用二次离子质谱法测量重搀杂N型硅衬底中的硼污染的方法 | ||
68 |
SEMI MF 1529-1110 | 用双配置程序的直列式四点探针法评定薄板阻抗不均匀性的方法 | ||
69 |
SEMI MF 1530-0707 | 用非接触自动扫描法测量硅片平整度、厚度和厚度变化的试验方法 | ||
70 |
SEMI MF 1535-0707 | 用微波反射非接触光电导衰减方法测试硅晶片载流子复合寿命的方法 | ||
71 |
SEMI MF 1569-0307 | 半导体技术用统一参考材料的形成指南 | ||
72 |
SEMI MF 1617-0304 | 二次离子质谱法测定硅和硅外延衬底表面上钠、铝和钾 | ||
73 |
SEMI MF 1618-1110 | 硅晶片薄膜的不均匀性判定规程 | ||
74 |
SEMI MF 1619-1107 | 以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅片中间隙氧含量 | ||
75 |
SEMI MF 1630-1107 | 单晶硅Ⅲ－Ⅴ级杂质的低温FT－IR分析测试方法 | ||
76 |
SEMI MF 1708-1104 | 用区融和光谱分析仪评定粒状多晶硅的规程 | ||
77 |
SEMI MF 1723-1104 | 通过漂移区生长和光谱法评价多晶硅棒的方法 | ||
78 |
SEMI MF 1724-1104 | 采用酸萃取－原子吸收光谱法测量多晶硅表面金属沾污 | ||
79 |
SEMI MF 1725-1110 | 硅锭结晶学完整性的分析方法 | ||
80 |
SEMI MF 1726-1110 | 硅片结晶学完整性分析规程 | ||
81 |
SEMI MF 1727-1110 | 硅抛光片表面氧化诱生缺陷的检测方法 | ||
82 |
SEMI MF 1763-0706 | 线性偏光镜测试方法 | ||
83 |
SEMI MF 1771-1110 | 通过电压斜线上升技术评估栅极氧完整性的方法 | ||
84 |
SEMI MF 1809-1110 | 表征硅中结构缺陷的腐蚀溶液的选择和使用指南 | ||
85 |
SEMI MF 1810-1110 | 用于记录硅片择优腐蚀和加工表面缺陷的方法 | ||
86 |
SEMI MF1811-1109 | 从表面轮廓数据估计功谱密度和相关加工参数的指南 | ||
87 |
SEMI MF 1982-1110 | 热解吸附气相色谱法评估硅片表面有机污染物的方法 | ||
88 |
SEMI MF 2074-0707 | 硅及其他半导体材料晶片直径的测量方法指南 | ||
89 |
SEMI MF 2139-1103（重新确认1110） | 采用二次离子质谱法测量硅衬底上氮浓度的方法 | ||
90 |
SEMI MF 2166-1110 | 通过使用特殊参考晶片监控非接触式电介质评定系统的方法 | ||
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