首页 > 标准目录列表
序号 |
标准号 |
标准名称 |
代替标号 |
国家/行业 |
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SEMI M F 374-0307 | 用直排四探针法测试硅外延层、扩散层、多晶硅和离子注入层的薄层电阻的试验方法 | ||
32 |
SEMI MF 391-0708 | 通过测量稳态硅表面光致电压确定硅中少数载流子扩散长度的试验方法 | ||
33 |
SEMI MF 397-1106 | 用二探针法测定硅棒电阻率的标准方法 | ||
34 |
SEMI MF 398-92（0307撤销） | 采用等离子共振最小波数或波长法测量半导体中多数载流子浓度方法 | ||
35 |
SEMI MF 399-00a（撤销0710） | 异质外延或多晶层厚度测试方法 | ||
36 |
SEMI MF 523-1197 | 硅抛光片的目检规程 | ||
37 |
SEMI MF 525-0307 | 用扩展电阻探针测量硅片电阻率的方法 | ||
38 |
SEMI MF 533-0310 | 硅片厚度及厚度变化的测试方法 | ||
39 |
SEMI MF 534-0707 | 硅片的弯曲度测试方法 | ||
40 |
SEMI MF 576-0706 | 用椭圆对称法测量硅衬底上绝缘体厚度及折射指数的试验方法 | ||
41 |
SEMI MF 657-0707E | 用非接触扫描法测量硅片的翘曲度及总厚度变化的试验方法 | ||
42 |
SEMI MF 671-0707 | 硅晶片及其他电子材料的参考面长度测量方法 | ||
43 |
SEMI MF 672-0307 | 用扩展电阻探针测量硅晶片垂直于纵断面表面的电阻率的方法 | ||
44 |
SEMI MF 673-1105 | 用非接触式涡流标尺测量半导体晶片电阻率或半导体薄膜薄层电阻的方法 | ||
45 |
SEMI MF 674-0705 | 扩展电阻测量用硅的制备 | ||
46 |
SEMI MF 723-0307E | 掺硼、掺磷和掺砷硅片的电阻率与掺杂剂浓度的换算惯例 | ||
47 |
SEMI MF 728-1106 | 尺寸测量用光学显微镜预置规范 | ||
48 |
SEMI MF 847-0705 | 用X射线技术测量硅单晶片上的参考面结晶取向的方法 | ||
49 |
SEMI MF 928-0305 | 圆形半导体晶片及硬性磁盘基片的边缘轮廓的试验方法 | ||
50 |
SEMI MF 950-1107 | 用角抛光和疵点侵蚀加工法测量机械加工硅片表面晶体损坏深度的试验方法 | ||
51 |
SEMI MF 951-0305 | 测量硅片间隙氧径向变化的试验方法 | ||
52 |
SEMI MF 978-1106 | 采用瞬时电容法标示深能级半导体实验方法 | ||
53 |
SEMI MF 1048-1109 | 测量全反射集成分散器的方法 | ||
54 |
SEMI MF 1049-0308 | 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法 | ||
55 |
SEMI MF 1152-0305 | 硅片刻槽尺寸的测试方法 | ||
56 |
SEMI MF 1153-1110 | 用电容－电压测量法对硅金属氧化物结构特性的试验方法 | ||
57 |
SEMI MF 1188-1107 | 用短基线红外吸收法测试硅中间隙原子氧含量 | ||
58 |
SEMI MF 1239-0305 | 用测量间隙氧减少方法测试硅晶片的氧析出特性 | ||
59 |
SEMI MF 1366-0308 | 用二次离子质谱法测量重掺杂硅衬底中氧含量的方法 | ||
60 |
SEMI MF 1388-0707 | 用金属－氧化物－硅电容器容量－时间(C-T)法测定硅材料产生寿命 和生产速度的试验方法 | ||
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