首页 > 标准目录列表
序号 |
标准号 |
标准名称 |
代替标号 |
国家/行业 |
1 |
GB/T 1550-1997 | 非本征半导体材料导电类型测试方法 | GB/T 1550-1979 ，GB/T 5256-1985 | 国家标准 |
2 |
GB/T 1551-2009 | 硅单晶电阻率测定方法 | GB/T 1551-1995 、GB/T 1552-1995 | 国家标准 |
3 |
GB/T 1553-2009 | 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法 | GB/T 1553-1997 | 国家标准 |
4 |
GB/T 1554-2009 | 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 | GB/T 1554-1995 | 国家标准 |
5 |
GB/T 1555-2009 | 半导体单晶晶向测定方法 | GB/T 1555-1997 | 国家标准 |
6 |
GB/T 1557-2006 | 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 | GB/T 1557-1997、GB/T 14143-1993 | 国家标准 |
7 |
GB/T 1558-2009 | 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法 | GB/T 1558-1997 | 国家标准 |
8 |
GB/T 4058-2009 | 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 | GB/T 4058-1995 | 国家标准 |
9 |
GB/T 4059-2007 | 硅多晶气氛区熔磷检验方法 | GB/T 4059-1983 | 国家标准 |
10 |
GB/T 4060-2007 | 硅多晶真空区熔基硼检验方法 | GB/T 4060-1983 | 国家标准 |
11 |
GB/T 4061-2009 | 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法 | GB/T 4061-1983 | 国家标准 |
12 |
GB/T 4298-1984 | 半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法 | 国家标准 | |
13 |
GB/T 4326-2006 | 非本征半导体单晶 霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 | GB/T 4326-1984 | 国家标准 |
14 |
GB/T 5252-2006 | 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 | GB/T 5252-1985 | 国家标准 |
15 |
GB/T 6616-2009 | 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 | GB/T 6616-1995 | 国家标准 |
16 |
GB/T 6617-2009 | 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 | GB/T 6617-1995 | 国家标准 |
17 |
GB/T 6618-2009 | 硅片厚度和总厚度变化测试方法 | GB/T 6618-1995 | 国家标准 |
18 |
GB/T 6619-2009 | 硅片弯曲度测试方法 | GB/T 6619-1995 | 国家标准 |
19 |
GB/T 6620-2009 | 硅片翘曲度非接触式测试方法 | GB/T 6620-1995 | 国家标准 |
20 |
GB/T 6621-2009 | 硅片表面平整度测试方法 | GB/T 6621-1995 | 国家标准 |
21 |
GB/T 6624-2009 | 硅抛光片表面质量目测检验方法 | GB/T 6624-1995 | 国家标准 |
22 |
GB/T 8757-2006 | 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法 | GB/T 8757-1988 | 国家标准 |
23 |
GB/T 8758-2006 | 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法 | GB/T 8758-1988 | 国家标准 |
24 |
GB/T 8760-2006 | 砷化镓单晶位错密度的测量方法 | GB/T 8760-1988 | 国家标准 |
25 |
GB/T 11068-2006 | 砷化镓外延层载流子浓度电容--电压测量方法 | GB/T 11068-1989 | 国家标准 |
26 |
GB/T 11073-2007 | 硅片径向电阻率变化的测量方法 | GB/T 11073-1989 | 国家标准 |
27 |
GB/T 13387-2009 | 硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法 | GB/T 13387-1992 | 国家标准 |
28 |
GB/T 13388-2009 | 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 | GB/T 13388-1992 | 国家标准 |
29 |
GB/T 13389-1992 | 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 | 国家标准 | |
30 |
GB/T 14140-2009 | 硅片直径测量方法 | GB/T14140.1-1993，GB/T14140.2-1993 | 国家标准 |
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