首页 > 标准目录列表
序号 |
标准号 |
标准名称 |
代替标号 |
国家/行业 |
31 |
GB/T 14141-2009 | 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 | GB/T 14141-1993 | 国家标准 |
32 |
GB/T 14142-1993 | 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 | 国家标准 | |
33 |
GB/T 14144-2009 | 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法 | GB/T 14144-1993 | 国家标准 |
34 |
GB/T 14146-2009 | 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 | GB/T 14146-1993 | 国家标准 |
35 |
GB/T 14847-1993 | 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 | 国家标准 | |
36 |
GB/T 15615-1995 | 硅片抗弯强度测试方法 | 国家标准 | |
37 |
GB/T 17169-1997 | 硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法 | 国家标准 | |
38 |
GB/T 17170-1997 | 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法 | 国家标准 | |
39 |
GB/T 18032-2000 | 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法 | 国家标准 | |
40 |
GB/T 19199-2003 | 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法 | 国家标准 | |
41 |
GB/T 19444-2004 | 硅片氧沉淀特性的测定——间隙氧含量减少法 | 国家标准 | |
42 |
GB/T 19921-2005 | 硅抛光片表面颗粒测试方法 | 国家标准 | |
43 |
GB/T 19922-2005 | 硅抛光片局部平整度非接触式检测方法 | 国家标准 | |
44 |
GB/T 23513.1-2009 | 锗精矿化学分析方法 第1部分：锗量的测定 碘酸钾滴定法 | 国家标准 | |
45 |
GB/T 23513.2-2009 | 锗精矿化学分析方法 第2部分：砷量的测定 硫酸亚铁铵滴定法 | 国家标准 | |
46 |
GB/T 23513.3-2009 | 锗精矿化学分析方法 第3部分：硫量的测定 硫酸钡重量法 | 国家标准 | |
47 |
GB/T 23513.4-2009 | 锗精矿化学分析方法 第4部分：氟量的测定 离子选择电极法 | 国家标准 | |
48 |
GB/T 23513.5-2009 | 锗精矿化学分析方法 第5部分：二氧化硅量的测定 重量法 | 国家标准 | |
49 |
GB/T 24574-2009 | 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法 | 国家标准 | |
50 |
GB/T 24575-2009 | 硅和硅外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱测试方法 | 国家标准 | |
51 |
GB/T 24576-2009 | 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的GaAsAl中Al成分的测试方法 | 国家标准 | |
52 |
GB/T 24577-2009 | 热解析气相色谱法测定硅片表面的有机污染物 | 国家标准 | |
53 |
GB/T 24578-2009 | 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 | 国家标准 | |
54 |
GB/T 24579-2009 | 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物 | 国家标准 | |
55 |
GB/T 24580-2009 | 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法 | 国家标准 | |
56 |
GB/T 24581-2009 | 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法 | 国家标准 | |
57 |
GB/T 24582-2009 | 酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质 | 国家标准 | |
58 |
GB/T 26066-2010 | 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法 | 国家标准 | |
59 |
GB/T 26067-2010 | 硅片切口尺寸测试方法 | 国家标准 | |
60 |
GB/T 26068-2010 | 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法 | 国家标准 | |
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