4月深圳—半导体—会议通知
2017-03-20 10:06:59   

半材标委[2017]3号-深圳会议.pdf
2017年4月深圳会议•参会回执.doc

 

 

各标委会委员、各起草单位及会员单位：
    根据国家标准化管理委员会和工业和信息化部下达的关于标准制修订计划的文件精神，现定于2017年4月11日～13日在广东省深圳市召开半导体材料标准工作会议。现将有关事宜通知如下：
一、会议内容和资料
    会议将对《区熔锗锭》等16项半导体材料国家、行业标准进行审定、预审和讨论（具体项目见附件）。请标委会委员、各项目的负责起草单位（1-2名）和参加起草单位（1名）参加会议，负责单位须携带标准资料。
各标准负责起草单位务必于4月5日前将标准稿件等发至标委会秘书处邮箱( hhddjj@263.net & ysx201331@126.com)，由秘书处挂网征求意见。各相关单位可于4月7日之后在有色标准信息网（www.cnsmq.com）“标准制定工作站”栏目下载。
二、会议日程和地点
    1、报到时间：2017年4月11日
    2、报到地点：深圳宝悦酒店（深圳市宝安西乡大道298-12号，0755-88888818）。
    3、乘车路线：①宝安机场：乘坐地铁11号线到“碧海湾”站B出口出，步行6分钟；打车30元左右，约11公里。②深圳高铁站：坐地铁5号环中线到“宝安中心”站换乘地铁1号罗宝线到“西乡”站C/D 口出，步行10分钟；打车100元左右，约30公里。③罗湖火车站：乘坐地铁1号罗宝线到“西乡站”C/D 口出，步行10分钟；打车100元左右，约33公里。
三、会务及联系人
    本次会议由广东先导先进材料股份有限公司协办。
    食宿统一安排，宿费自理。
    标委会秘书处：贺东江  010-62228796   13311097760
                          杨素心  010-62629312   15010981543
    为方便安排住宿等会务工作，请各参会代表将回执填妥，并于2017年4月1日前传真、邮箱或电话告知秘书处。
 
附件：会议审定、预审和讨论的标准项目
 
 

 
 抄报：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

附件：

组别	序号	计划编号	项目名称	负责单位	备注
第一组	1	20140955-T-610	区熔锗锭	云南临沧鑫圆锗业股份有限公司	审定
	2	20140956-T-610	区熔锗锭化学分析方法 第1部分  砷含量的测定  砷斑法		审定
	3	20150500-T-610	区熔锗锭化学分析方法 第2部分 铝、铁、铜、镍、铅、钙、镁、钴、铟、锌含量的测定 电感耦合等离子体质谱法		审定
	4	20150504-T-610	锗晶体缺陷图谱		审定
	5	2015-0339T-YS	高纯二氧化锗化学分析方法 电感耦合等离子体质谱法测定镁、铝、钴、镍、铜、锌、铟、铅、钙、铁和砷量	国家有色金属质量监督检验中心	审定
	6	2015-0340T-YS	高纯二氧化锗化学分析方法 硫氰酸汞分光光度法测定氯量		审定
	7	2015-0341T-YS	高纯二氧化锗化学分析方法 钼蓝分光光度法测定硅量		审定
	8	2015-0342T-YS	高纯二氧化锗化学分析方法 石墨炉原子吸收光谱法测定砷量		审定
	9	2015-0343T-YS	高纯二氧化锗化学分析方法 石墨炉原子吸收光谱法测定铁量		审定
	10	20162490-T-469	锗单晶和锗单晶片	南京中锗科技有限责任公司	讨论
第二组	11	20151793-T-469	非本征半导体材料导电类型测试方法	乐山市产品质量监督检验所	审定
	12	20151791-T-469	硅抛光片表面颗粒测试方法	有研半导体材料有限公司	预审
	13	2015-0338T-YS	非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 稳态表面光电压法和稳态光通量法		预审
	14	20151786-T-469	硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法	新特能源股份有限公司	预审
	15	20153656-T-469	硅多晶真空区熔基硼检验方法	江苏中能硅业科技发展有限公司	预审
	16	20153657-T-469	硅多晶气氛区熔基磷检验方法		预审

2017年4月深圳会议·参会回执
(请于2017年4月1日前发送至ysx201331@126.com或传真至010-62241898-816）