首页 > 标准目录列表
序号 |
标准号 |
标准名称 |
代替标号 |
国家/行业 |
1 |
JIS H 0601:1962 | 锗电阻率测试方法 | ||
2 |
JIS H 0602:1995 | 四点探针法测定硅单晶和硅片电阻率 | ||
3 |
JIS H 0603:1978 | 光导衰变法测定锗中少数载流子寿命 | ||
4 |
JIS H 0604:1995 | 光导衰变法测定硅单晶中少数载流子寿命 | ||
5 |
JIS H 0607:1978 | 热电动法测定锗中导电类型 | ||
6 |
JIS H 0608:1978 Withdrawn | 硅中硼含量估计 | ||
7 |
JIS H 0609:1999 | 采用择优腐蚀测定硅中晶体缺陷试验方法 | ||
8 |
JIS H 0610:1966 | 锗单晶腐蚀坑密度测试方法 | ||
9 |
JIS H 0611:1994 | 硅片厚度、厚度变化和弯曲度测试方法 | ||
10 |
JIS H 0613:1978 | 硅切割研磨片目视检查方法 | ||
11 |
JIS H 0614:1996 | 硅片定向反射面目视检查方法 | ||
12 |
JIS H 1191:1991 Withdrawn | 砷化镓化学分析试验方法 | ||
13 |
JEITA EM-3510:2007 | 硅片边缘滚动测试方法 | ||
14 |
JEITA EM-3601A:2004 | 高纯多晶硅规范 | ||
15 |
JEITA EM-3602:2002 | 定向反射面硅片尺寸特性标准规范 | ||
16 |
JEITA EM-3603B:2006 | SOI硅片和术语标准 | ||
17 |
JEITA EM-3604:2005 | SOI厚晶片规范 | ||
18 |
JEITA EM-3501:2002 | 半导体硅单晶晶向测试方法 | ||
19 |
JEITA EM-3503:2002 | 红外吸收法测定硅中代位碳原子浓度 | ||
20 |
JEITA EM-3506:2003 | 采用短波激发微波光电导衰减法测定硅外延片 | ||
21 |
JEITA EM-3508:2005 | 退火硅片中体微缺陷密度和剥露区宽度测量方法 | ||
22 |
JEITA EM-3509:2005 | 用于硅片表面光电压法测量少子寿命扩散长度试样制备方法 | ||
23 |
JEITA EM-3510:2007 | 硅片边缘塌边测量方法 | ||
24 |
JEITA EM-3511:2009 | 表面光电压法测量p型硅片中铁浓度方法 | ||
25 |
JEITA EM-3512:2009 | 硅晶体中氮浓度测试方法 |
