关于对“全国有色金属技术标准优秀奖”评选结果公示的函
各会员单位及各位委员：
根据半材标委[2008] 12 号关于申报“全国有色金属技术标准优秀奖”工作的通知，各会员单位申报标准优秀奖项目共3项。2008年9月19日，在北京召开专家评审会，共评选出贰等奖1项，叁等奖2项，（具体项目名称见附件）。特此网上公示，并征求全体委员和会员单位的意见，意见反馈截止日为十月十日。
附件：“全国有色金属技术标准优秀奖”获奖公示名单
附件：“全国有色金属技术标准优秀奖”获奖公示名单
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序号 |
标准项目 |
负责起草单位 |
参加起草单位 |
起草人 |
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贰等奖 | ||||
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1. |
锗废料中锗的测定方法 |
云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
南京锗厂有限责任公司 |
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包文东、李贺成、普世坤、郑洪、惠峰、高孟朝、孙燕、王坚 |
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叁等奖 | ||||
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2. |
硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 |
南京国盛电子有限公司 |
宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心 |
马林宝 、唐有青、刘培东、李静、金龙、吕立平 |
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3. |
半导体材料术语 |
有研半导体材料股份有限公司
杭州海纳半导体有限公司
国瑞电子材料有限责任公司 |
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孙燕、黄笑容、翟富义、卢立延、郑琪、邓志杰 |
