|
第一次会议：项目包括（修改） （洛阳） 六月 | |||
|
国标 |
项目名称 |
主起草单位 |
备注 |
|
GB/T 14264-1993 |
半导体材料术语 |
中国有色金属工业标准计量质量研究所、有色院等 |
第二次会议 |
|
GB/T 1555-1997 |
半导体单晶晶向测定方法 |
峨嵋半导体材料厂 |
讨论会 |
|
GB/T 1558-1997 |
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 |
峨嵋半导体材料厂 |
讨论会 |
|
GB/T 4058-1995 |
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 |
峨嵋半导体材料厂 |
讨论会 |
|
GB/T 6616-1995 |
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 |
有研半导体材料股份有限公司 |
讨论会 |
|
GB/T 6617-1995 |
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 |
中科院半导体所 |
讨论会 |
|
GB/T 6618-1995 |
硅片厚度和总厚度变化测试方法 |
有研半导体材料股份有限公司 |
讨论会 |
|
GB/T 6619-1995 |
硅片弯曲度测试方法 |
洛阳单晶硅有限责任公司 |
讨论会 |
|
GB/T 6620-1995 |
硅片翘曲度非接触式测试方法 |
洛阳单晶硅有限责任公司 |
讨论会 |
|
GB/T 6621-1995 |
硅抛光片表面平整度测试方法 |
上海合晶硅材料有限公司 |
讨论会 |
|
GB/T 6624-1995 |
硅抛光片表面质量目测检验方法 |
上海合晶硅材料有限公司 |
讨论会 |
|
GB/T 10118-1988 |
高纯镓 |
有研半导体材料股份有限公司 |
讨论会 |
|
GB/T 11072-1989 |
锑化铟多晶、单晶及切割片 |
峨嵋半导体材料厂 |
讨论会 |
|
GB/T 13387-1992 |
电子材料晶片参考面长度测量方法 |
上一篇：2006年贵金属标委会会议安排 友情链接
Copyright © www.cnsmq.com all rights reserved | |
