半材标委技术标准优秀奖评选结果公示
2019-11-04 16:14:42   来源：    点击：

半材标委[2019]23号.pdf  
各会员单位、各位委员：
      根据“全国半导体材料标准化分技术委员会技术标准优秀奖”评选要求，经各会员单位申报、秘书处形式审查，共6项标准项目进入专家评审。2019年9月26日，全国半导体材料标准化分技术委员会在宜兴召开专家评审会，共评选出技术标准优秀奖5项，其中一等奖1项、二等奖1项、三等奖3项。特此网上公示，若有不同意见，请于11月11日前书面反馈至tc203sc2@cnsmq.com。


 
附件：2019年度“全国半导体材料标准化分技术委员会技术标准优秀奖”获奖项目名单
  附件:

序号	项目名称	起草单位	起草人
一等奖
1	GB节水型企业 多晶硅行业、取水定额 第47部分 多晶硅生产	新特能源股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、亚洲硅业（青海）股份有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、洛阳中硅高科技有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、内蒙古盾安光伏科技有限公司、内蒙古神舟硅业有限责任公司、新疆大全新能源股份有限公司、内蒙古鄂尔多斯多晶硅业有限公司、江苏鑫华半导体材料科技有限公司、 四川永祥多晶硅有限公司	银波、夏进京、邱艳梅、兰天石、王永亮、刘逸枫、刘国霞、丁达杰、郑宝刚、刘建中、甘易武、魏东亮、严大洲、徐岩、高明、姚利忠、田洪先、董燕军、郭亮亮、薛心禄、刘霄宇、王桃霞、于生海、韩继文、田新、冉祎
二等奖
2	GB硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法	南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、上海合晶硅材料有限公司、无锡华瑛微电子技术有限公司、龙腾半导体股份有限公司	骆红、潘文宾、赵而敬、孙燕、张海英、徐新华、温子瑛、胡金枝、马林宝
三等奖
3	GB硅材料中氧含量的测试  惰性气体熔融红外法	有研半导体材料有限公司、上海合晶硅材料有限公司	王永涛、孙燕、徐新华、胡金枝、任丹雅、 赵志婷、白雪
4	CNIA硅外延用四氯化硅中杂质含量的测定  电感耦合等离子体质谱法	洛阳中硅高科技有限公司、亚洲硅业（青海）股份有限公司、新特能源股份有限公司、新疆协鑫新能源材料科技有限公司	严大洲、万烨、赵雄、楚东旭、刘凤华、蔡延国、邱艳梅、赵娟龙
5	GB氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法	中国电子科技集团公司第四十六研究所、北京聚睿众邦科技有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司	马农农、何友琴、陈潇、刘立娜、何烜坤、闫方亮、杨丽霞、颜建锋