首页 > 标准目录列表
序号 |
标准号 |
标准名称 |
代替标号 |
国家/行业 |
1 |
ASTM E 668-05 | 用于确定在电子器件辐射硬化试验中吸收量大小的热致剂量计系统的使用测试方法 | ||
2 |
ASTM E 722-04 | 用于确定在电子器件辐射硬化试验中等量单能中子积分通量规程 | ||
3 |
ASTM E 1249-00(2005) | 在硅电子器件采用Co-60源辐射硬化试验中最小剂量误差规程 | ||
4 |
ASTM E 1250-88(2005) | 对用于评估在测试硅电子器件辐射硬化特性时使用的Co-60辐射低能量γ元件电离室的试验方法 | ||
5 |
ASTM E 2244-05 | 采用光学干涉仪测量薄反射膜平面长度方法 | ||
6 |
ASTM E 2245-05 | 采用光学干涉仪测量薄反射膜残余应变方法 | ||
7 |
ASTM E 2246-05 | 采用光学干涉仪测量薄反射膜应变梯度方法 | ||
8 |
ASTM F 76-86(2002) | 单晶半导体中电阻霍尔系数的测量和霍尔迁移率确定方法 | ||
9 |
ASTM F 358-83(2002) | 磷砷化镓晶片光致发光峰值波长和对应组分测试方法 | ||
10 |
ASTM F 390-98(2003) | 采用直排四探针法测量薄金属薄膜表面电阻 | ||
11 |
ASTM F 418-77(2002) | 霍尔效应试验时磷砷化镓外延片恒定组分区试样制备规程 | ||
12 |
ASTM F 487-88(2006) | 半导体键合用纯铝－1％硅丝规范 | ||
13 |
ASTM F 615M-95(2006) | 半导体组件喷镀金属上工作区和安全电流脉冲测定规程[公制] | ||
14 |
ASTM F 616M-96(2003) | MOSFET漏泄电流测试方法 | ||
15 |
ASTM F 617-00 | MOSFET线性临界电压测试方法 | ||
16 |
ASTM F 996-98(2003) | 防止由于夹杂氧化物空穴和界面态采用次临界电流电压特性使MOSFET临界电压变化影响元件隔离电离辐射试验方法 | ||
17 |
ASTM F 1190-99(2005) | 无偏电子器件中中子辐射规程 | ||
18 |
ASTM F 1192-00 | 半导体器件重离子辐射产生的单事件形式测量指南(SEP) | ||
19 |
ASTM F 1212-89(2002) | 砷化镓晶片热稳定性试验方法 | ||
20 |
ASTM F 1259M-96(2003) | 用于检测因电迁移引起喷镀金属断路或电阻增加失败的平直线测量结构设计指南[公制] | ||
21 |
ASTM F 1261M-96(2003) | 直薄膜金属线平均电宽度的测试方法[公制] | ||
22 |
ASTM F 1404-04 | 采用熔融氢氧化钾(KOH)腐蚀法测量砷化镓结晶学取向 | ||
23 |
ASTM F 1711-96(2002) | 采用四探针法测量平面板显示用薄膜半导体表面电阻 | ||
24 |
ASTM F2358-04 | 蓝宝石衬底特性测量方法指南 |
