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序号
标准号
标准名称
代替标号
国家/行业
1
SEMI M30-0997 用傅立叶变换红外吸收光谱测量砷化镓中代位碳原子浓度的标准测试方法
2
SEMI M31-0708 正面开启用于300mm晶片运输和发装运盒暂行机械规范
3
SEMI M33-0998(撤销1107) 测定硅片表面残留沾污的测定试验方法-X射线反射荧光分光谱(TXRF)法
4
SEMI M34-0299 制定SIMOX硅片技术规范指南
5
SEMI M35-1107 开展自动检测硅片表面特征规范的指南
6
SEMI M36-0699 低位错密度砷化镓抛光片中腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
7
SEMI M37-0699 低位错密度磷化铟抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测试方法
8
SEMI M39-0999 通过测量电阻率和霍尔系统确定半绝缘砷化镓单晶中霍尔迁移率的试验方法
9
SEMI M40-1109 硅片二维表面粗糙度测定指南
10
SEMI M44-0305 硅中间隙氧(含量)转换因子(测量)指南
11
SEMI M46-1101E(重新确认0309) 用ECV剖面分布测量外延层结构中载流子浓度的测试方法
12
SEMI M49-1108 用于130nm到65nm级技术生产硅片几何尺寸测试设备的指南
13
SEMI M50-0310 用投影法确定表面扫描检测系统的捕获效率和错误计数率的测试方法
14
SEMI M51-0303 用门氧化完整性确定硅片特征的测试方法
15
SEMI M52-0307 用于130nm级技术生产的硅片表层扫描检验系统的评价指南
16
SEMI M53-1109 用单分散聚苯乙烯胶乳球沉积法在未定型半导体晶片表面校准表层扫描检验体系的惯例方法
17
SEMI M56-0307 确定由于设备测量变量和测量偏差引起的成本代价的惯例方法
18
SEMI M58-1109 评估基于粒子沉积系统和工艺的直接存储器的测试方法
19
SEMI M60-0306E2 用击穿SiO2膜绝缘时间变量参数来评估硅片的测试方法
20
SEMI M63-0306 准则:采用高分辨率X光衍射法测量砷化镓衬底上AlGaAs中Al百分含量的测试方法
21
SEMI M64-0306 红外吸收光谱法测量半绝缘(SI)砷化镓单晶上深能级EL2浓度的测试方法
22
SEMI ME1392-1109 在表面反射或散射的角分辨光散射测量指南
23
SEMI MF 26-0305 测定半导体单晶体取向的方法
24
SEMI MF 42-1105 掺杂半导体材料导电类型试验方法
25
SEMI MF 43-0705 半导体材料电阻率试验方法
26
SEMI MF 81-1105 硅片径向电阻率变化测量方法
27
SEMI MF 84-0307 用直排四探针法测量硅片电阻率的试验方法
28
SEMI MF 95-1107 用红外线反射法测定重掺杂硅衬底上轻掺杂硅外延层厚度的试验方法
29
SEMI MF 110-1107 用磨角和染色技术测定硅外延层或扩散层厚度的试验方法
30
SEMI MF 154-1105 鉴别镜面状硅片表面观察到的结构和沾污的指南
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