关于召开2015年度全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会年会的通知
各委员、会员单位及相关单位:
根据国家标准化管理委员会及工业和信息化部下达的关于标准制修订计划的文件精神,现定于2015年12月1日~4日在内蒙古呼和浩特市召开2015年度全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会年会,请标委会各委员、会员单位务必出席会议,也请各相关单位派代表参加会议。现将相关事宜通知如下:
一、会议日程和内容
1、12月1日,全天报到。
2、12月2日~3日,会议内容如下:
① 领导讲话。
② 全国半导体材料标准化分技术委员会秘书处作2015年度工作报告。
③ 表彰2015年度全国半导体材料标准化先进工作者。
④ 论证确定2016~2017年度半导体材料标准计划项目,会员单位可在标委会秘书处提出的计划项目(见附件1)之外申报新项目。项目提出单位请提前准备相关论证材料。
⑤落实标准起草任务,并审定、预审和讨论《硅片字母数字标志规范》等标准项目(见附件2)。
⑥标委会委员终审2015年度审定完成的标准项目。
3、12月4日,继续3日未完议程。
4、会议资料:各标准负责起草单位及计划项目提出单位务必提前准备标准稿件或论证材料,于11月20日前发至标委会秘书处邮箱(hhddjj@263.net & ysx201331@126.com)。标准稿件将由秘书处挂网征求意见,相关单位可于11月27日之后在网站www.cnsmq.com“标准制定工作站”栏目下载。
二、会议地点及乘车路线
1、会议地点:内蒙古海亮广场大酒店(呼和浩特回民区中山西路1号,0471-5292588)
2、乘车路线:①呼和浩特白塔国际机场:机场办公楼站乘97路,海亮广场站下车,步行500米左右至酒店;乘出租车约20km,50元左右。②呼和浩特站:火车站乘K2、34、71、60、1路至海亮广场站下车,步行至酒店;乘出租车约2公里,10元左右。③呼和浩特东站:火车东客站乘19路至海亮广场站下车,或火车东客站乘83路或K1路,公交三公司站换乘青城1号线,民族商场站下车,步行400米左右至酒店;乘出租车约15公里,25元左右。
三、会务及联系人
本次会议由内蒙古神舟硅业有限责任公司协办。
本次会议的会务工作由呼和浩特市华翰达会议服务有限公司承担。
标委会秘书处:贺东江 010-62228796 13311097760
杨素心 010-62629312 15010981543
四、参会回执
为方便准备会议资料及安排住宿,请各单位参会代表将回执填妥,并于2015年11月20日前传真、邮箱或电话告知秘书处。
附件1:标委会秘书处提出的计划项目
附件2:审定、预审、讨论和任务落实的标准项目
一、会议日程和内容
1、12月1日,全天报到。
2、12月2日~3日,会议内容如下:
① 领导讲话。
② 全国半导体材料标准化分技术委员会秘书处作2015年度工作报告。
③ 表彰2015年度全国半导体材料标准化先进工作者。
④ 论证确定2016~2017年度半导体材料标准计划项目,会员单位可在标委会秘书处提出的计划项目(见附件1)之外申报新项目。项目提出单位请提前准备相关论证材料。
⑤落实标准起草任务,并审定、预审和讨论《硅片字母数字标志规范》等标准项目(见附件2)。
⑥标委会委员终审2015年度审定完成的标准项目。
3、12月4日,继续3日未完议程。
4、会议资料:各标准负责起草单位及计划项目提出单位务必提前准备标准稿件或论证材料,于11月20日前发至标委会秘书处邮箱(hhddjj@263.net & ysx201331@126.com)。标准稿件将由秘书处挂网征求意见,相关单位可于11月27日之后在网站www.cnsmq.com“标准制定工作站”栏目下载。
二、会议地点及乘车路线
1、会议地点:内蒙古海亮广场大酒店(呼和浩特回民区中山西路1号,0471-5292588)
2、乘车路线:①呼和浩特白塔国际机场:机场办公楼站乘97路,海亮广场站下车,步行500米左右至酒店;乘出租车约20km,50元左右。②呼和浩特站:火车站乘K2、34、71、60、1路至海亮广场站下车,步行至酒店;乘出租车约2公里,10元左右。③呼和浩特东站:火车东客站乘19路至海亮广场站下车,或火车东客站乘83路或K1路,公交三公司站换乘青城1号线,民族商场站下车,步行400米左右至酒店;乘出租车约15公里,25元左右。
三、会务及联系人
本次会议由内蒙古神舟硅业有限责任公司协办。
本次会议的会务工作由呼和浩特市华翰达会议服务有限公司承担。
标委会秘书处:贺东江 010-62228796 13311097760
杨素心 010-62629312 15010981543
四、参会回执
为方便准备会议资料及安排住宿,请各单位参会代表将回执填妥,并于2015年11月20日前传真、邮箱或电话告知秘书处。
附件1:标委会秘书处提出的计划项目
附件2:审定、预审、讨论和任务落实的标准项目
抄报:国家标准化管理委员会 工业一部
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
附件1:标委会秘书处提出的计划项目
序号 | 标准号/标准类别 | 项目名称 | 原起草单位或申报单位 | |
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制定项目 | ||||
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产品 | 氮化镓衬底片 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | |
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产品 | 太阳能级多晶硅铸锭用氮化硅粉 | 烟台同立高科新材料股份有限公司 | |
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产品 | 碳化硅单晶切割片和研磨片 | 北京天科合达蓝光半导体有限公司 | |
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方法 | 蓝宝石手机盖板机械强度测试方法 | 天通控股股份有限公司 | |
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方法 | 半绝缘型碳化硅单晶片的电阻率非接触测定方法 | 北京天科合达蓝光半导体有限公司 | |
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方法 | 晶硅间隙氧、代位碳原子含量的测试 多次透射反射红外光谱法 | 南京大学 | |
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方法 | 区熔锗锭化学分析方法 第3部分 铝、铁、铜、镍、铅、钙、镁、钴、铟、锌、砷、硅含量的测定 辉光放电质谱法 | 昆明冶金研究院 | |
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方法 | 硅烷法生产多晶硅尾气中硅烷含量的检测方法 | 内蒙古神舟硅业有限责任公司 | |
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方法 | 氯硅烷中三氯氧磷、三氯化磷的测定 | 内蒙古盾安光伏科技有限公司 | |
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方法 | 氯硅烷中甲基二氯氢硅、三甲基氯硅烷、甲基三氯硅烷的测定 | 内蒙古盾安光伏科技有限公司 | |
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管理 | 取水定额 第18部分:多晶硅生产 | 江苏中能硅业科技发展有限公司 | |
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管理 | 节水型企业 多晶硅行业 | —— | |
附件2:审定、预审、讨论和任务落实的标准项目
序号 | 计划编号 | 项目名称 | 主起草单位 | 备注 |
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1 | 20141876-T-469 | 硅片字母数字标志规范 | 有研半导体材料有限公司 | 审定 |
2 | 2014-1459T-YS | 硅单晶腐蚀片 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 审定 |
3 | 2014-1453T-YS | 硅片边缘轮廓检验方法(修订) | 洛阳单晶硅有限责任公司 | 审定 |
4 | 2014-1456T-YS | 硅材料用高纯石英制品中杂质含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法 | 亚洲硅业(青海)有限公司 | 审定 |
5 | 2014-1288T-YB | 硅材料用高纯石墨制品中杂质含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法 | 审定 | |
6 | 2014-1283T-YB | 铸锭炉用碳/碳复合结构材料 | 西安超码科技有限公司 | 审定 |
7 | 2014-1284T-YB | 铸锭炉用碳/碳复合保温材料 | 审定 | |
8 | 2014-1285T-YB | 单晶炉用碳/碳复合材料发热体 | 湖南金博复合材料科技有限公司 | 审定 |
9 | 2014-1286T-YB | 单晶炉用碳/碳复合结构材料 | 湖南南方搏云新材料有限责任公司 | 审定 |
10 | 2014-1287T-YB | 单晶炉用碳/碳复合保温材料 | 审定 | |
11 | 2014-1452T-YS | 多晶硅用硅粉 | 洛阳中硅高科技有限公司 | 审定 |
12 | 20132163-T-469 | 蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线测量方法 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 审定 |
13 | 20132165-T-469 | 蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法 | 天通控股股份有限公司 | 审定 |
14 | 2014-1457T-YS | 高纯四氯化锗中铜、锰、铬、钴、镍、钒、锌、铅、铁、镁、铟和砷的测定 电感耦合等离子体质谱法 | 国家有色金属及电子材料分析测试中心 | 审定 |
15 | 2014-1458T-YS | 高纯四氯化锗红外透过率的测定方法 | 北京国晶辉红外光学科技有限公司 | 审定 |
16 | 20141872-T-469 | 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 | 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 | 审定 |
17 | 2014-0230T-YS | 锗精矿单位产品能源消耗限额 | 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 | 审定 |
18 | 2014-0233Q-YS | 锗单晶安全生产规范 | 审定 | |
19 | 2014-0234Q-YS | 区熔锗锭安全生产规范 | 审定 | |
20 | 2014-1454T-YS | 铟条 | 广西德邦科技有限公司 | 审定 |
21 | 2014-1455T-YS | 粗铟 | 云南五鑫实业有限公司 | 审定 |
22 | 2014-1460T-YS | 饰品用锗合金 | 云南天浩稀贵金属股份有限公司 | 审定 |
23 | —— | 锗行业清洁生产评价指标体系 | 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 | 审定 |
24 | 20141878-T-469 | 太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片 | 三安光电股份有限公司 | 预审 |
25 | 20141897-T-469 | 太阳能电池砷化镓单晶抛光片 | 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 | 预审 |
26 | 20151534-T-469 | 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 讨论 |
27 | 2015-1079T-YS | 改良西门子法多晶硅副产品 四氯化硅 | 洛阳中硅高科技有限公司 | 任务落实 |
28 | 国标计划公示中 | 硅多晶气氛区熔基磷检验方法 | 峨嵋半导体材料研究所 | |
29 | 国标计划公示中 | 硅多晶真空区熔基硼检验方法 | 峨嵋半导体材料研究所 |
2015年度半导体材料分会年会参会回执·呼和浩特
(请于2015年11月20日前发送至ysx201331@126.com或传真至010-62241898-816)
(请于2015年11月20日前发送至ysx201331@126.com或传真至010-62241898-816)
单位名称 | |||||
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邮编 | 通讯地址 | ||||
姓名 | 职务/职称 | 电 话 | |||
预计到达酒店时间(请在相应括号内打√) | |||||
12月1日上午( ) 12月1日下午( ) |
12月1日20:00之后( ) | ||||
房间预订 |
标准间:( )间,是否合住:是( ),否( ); 大床间:( )间 预计入住( )晚 |
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注:为方便安排会务工作,请各参会代表务必于11月20日前回执,会议将根据回执情况安排用房。 |