5月昆明—半导体标委—会议通知
2015-05-04 08:51:17   

 
各标委会委员、会员单位及相关单位：
    根据国家标准化管理委员会及工业和信息化部下达的关于标准制修订计划的文件精神，现定于2015年5月27日～29日在云南省昆明市召开半导体材料标准工作会议。现将有关事宜通知如下：
    一、会议内容和资料
    会议将对17项半导体材料国家和行业标准进行审定和讨论（具体项目见附件）。请各项目的负责起草单位和参加起草单位务必参加会议（负责单位须携带标准资料），同时也请各相关单位参加会议，提出意见。
    各标准负责起草单位务必于5月18日前将标准稿件等发至标委会秘书处邮箱( hhddjj@263.net & ysx201331@126.com)，由秘书处挂网征求意见。各相关单位可在有色标准信息网（www.cnsmq.com）“标准制定工作站”栏目下载。
    二、会议日程和地点
    1、报到时间：2015年5月27日
    2、报到地点：昆明希桥酒店
    （昆明市五华区江滨西路1号  电话0871-65116666）
    3、乘车路线：①火车站：昆明站（北京路站）乘83路（或昆明站（站前路站）乘59路）到青年路站下车，步行300米；约4.5公里，打车20元左右。②火车北站：火车北站(北京路)乘坐85路/78路到圆通山站下车，步行400米；约2公里，打车10元左右。③长水国际机场：乘机场大巴919路a线（13元）到火车北站(环城北路)下车，步行1000米；空港1号线到火车北站下车，步行1000米或乘坐78路到圆通山站下车，步行400米；约30公里，打车70元左右。
    三、会务及联系人
    本次会议由云南临沧鑫圆锗业股份有限公司协办。
    本次会议的会务工作由昆明古月会议服务有限公司承担。
    标委会秘书处：贺东江 010-62228796   13311097760
              杨素心 010-62629312   15010981543
    四、参会回执
    为方便安排住宿等会务工作，请各参会代表将回执填妥，并于2015年5月20日前传真或邮箱告知秘书处。
 
    附件：会议审定、讨论的标准项目
 
 

 
 
 
抄报：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

附件：

序号	计划编号	项目名称	制/修订	主起草单位	备注
1	2012-0631T-YS	羧乙基锗倍半氧化物化学分析方法	制定	云南临沧鑫圆锗业股份有限公司	审定
2	2013-1628T-YS	硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法	修订	南京国盛电子有限公司	审定
3	2013-1629T-YS	外延钉缺陷的检验方法	修订	南京国盛电子有限公司	审定
4	20141871-T-469	200mm硅外延片	制定	南京国盛电子有限公司	讨论
5	20141872-T-469	低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法	制定	云南中科鑫圆晶体材料有限公司	讨论
6	20141873-T-469	电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定  电感耦合等离子体质谱法	制定	江苏中能硅业科技发展有限公司	讨论
7	20141875-T-469	硅单晶中碳、氧含量的测定  低温傅里叶变换红外光谱法	制定	昆明冶研新材料股份有限公司	讨论
8	2014-0230T-YS	锗精矿单位产品能源消耗限额	制定	云南临沧鑫圆锗业股份有限公司	讨论
9	2014-0233Q-YS	锗单晶安全生产规范	制定	云南临沧鑫圆锗业股份有限公司	讨论
10	2014-0234Q-YS	区熔锗锭安全生产规范	制定	云南临沧鑫圆锗业股份有限公司	讨论
11	2014-1454T-YS	铟条	制定	广西德邦科技有限公司	讨论
12	2014-1455T-YS	粗铟	制定	云南五鑫实业有限公司	讨论
13	2014-1457T-YS	高纯四氯化锗中铜、锰、铬、钴、镍、钒、锌、铅、铁、镁、铟和砷的测定 电感耦合等离子体质谱法	制定	国家有色金属及电子材料分析测试中心	讨论
14	2014-1458T-YS	高纯四氯化锗红外透过率的测定方法	制定	北京国晶辉红外光学科技有限公司	讨论
15	2014-1459T-YS	硅单晶酸腐片	制定	天津市环欧半导体材料技术有限公司	讨论
16	2014-1460T-YS	饰品用锗合金	制定	云南天浩稀贵金属股份有限公司	讨论
17	——	锗行业清洁生产评价指标体系	制定	云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所	讨论

2015年5月昆明会议参会回执
(请于2015年5月20日前发送至ysx201331@126.com或传真至010-62241898-816）