关于召开2014年度全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会年会的通知
各标委会委员、会员单位及相关单位：
现定于2014年11月19日～22日在江苏省徐州市召开2014年度全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会会年会，请各标委会委员、会员单位务必出席会议，也请各相关单位领导及代表参加会议。现将相关事宜通知如下：
一、会议内容和资料
1、报到时间： 11月19日。
2、11月20日～21日，会议内容如下：
① 领导讲话。
② 全国半导体材料标准化分技术委员会秘书处作2014年度工作报告。
③ 表彰2014年度“全国半导体材料技术标准优秀奖”项目。
④ 论证并确定2015～2016年度半导体材料国行标计划项目，会员单位可在标委会秘书处提出的计划项目（见附件1）之外申报新项目。项目提出单位请提前准备相关论证材料。
⑤审定、预审和任务落实《硅单晶》等22项标准项目（见附件2）。
⑥标委会委员终审2014年度审定完成的标准项目。
3、11月22日，继续21日未完议程。
4、会议资料：各标准负责起草单位及计划项目提出单位务必提前准备标准稿件或论证材料，于11月10日前发至标委会秘书处邮箱（hhddjj@263.net & ysx201331@126.com）。标准稿件将由秘书处挂网公示，相关单位可于11月14日之后在网站www.cnsmq.com下载。
二、会议地点及乘车路线
1、会议地点：徐州绿地皇冠假日酒店 总机：0516-83289999
2、具体地址：徐州云龙区彭祖大道58号。
3、乘车路线：①徐州东站，乘10路，宗申产业园下车，换乘93路，彭祖大道站下车，约16公里；② 徐州站，乘92路，大草坪站下车，约12公里；③徐州观音机场至酒店，约40公里。
三、会务及联系人
本次会议由江苏中能硅业科技发展有限公司协办。
本次会议的会务工作由一之舟（上海）会展服务有限公司承担。
标委会秘书处：贺东江 010-62228796 13311097760
杨素心 010-62629312 15010981543
会务公司联系人：丁 霞 18913552240
四、参会回执
为方便准备会议资料及安排住宿，请各单位参会代表将回执填妥，并于2014年11月10日前传真、邮箱或电话告知秘书处。
附件1：标委会秘书处提出的计划项目
附件2：审定、预审和任务落实的标准项目
抄报：国家标准化管理委员会 工业一部
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
附件1：
标委会秘书处提出的计划项目
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序号
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标准号
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标准名称
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原主起草单位
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1
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GB/T 8756-1988
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锗晶体缺陷图谱
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北京有色金属研究总院
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2
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GB/T 11093-2007
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液封直拉法砷化镓单晶及切割片
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北京有色金属研究总院
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3
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GB/T 11094-2007
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水平法砷化镓单晶及切割片
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北京有色金属研究总院
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4
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GB/T 12964-2003
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硅单晶抛光片
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北京有色金属研究总院
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5
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GB/T 12965-2005
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硅单晶切割片和研磨片
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北京有色金属研究总院
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6
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GB/T 20228-2006
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砷化镓单晶
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北京有色金属研究总院
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7
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GB/T 20229-2006
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磷化镓单晶
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中国电子科技集团公司第13所
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8
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GB/T 20230-2006
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磷化铟单晶
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中国电子科技集团公司第13所
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9
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GB/T 1557-2006
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硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
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峨嵋半导体材料厂
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10
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GB/T 4059-2007
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硅多晶气氛区熔基磷检验方法
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峨嵋半导体材料厂
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11
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GB/T 4060-2007
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硅多晶真空区熔基硼检验方法
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峨嵋半导体材料厂
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12
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GB/T 4298-1984
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半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法
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北京有色金属研究总院
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13
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GB/T 4326-2006
|
非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
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北京有色金属研究总院
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14
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GB/T 5252-2006
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锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
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北京有色金属研究总院
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15
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GB/T 8757-2006
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砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法
|
北京有色金属研究总院
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16
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GB/T 8758-2006
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砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
|
北京有色金属研究总院
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17
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GB/T 8760-2006
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砷化镓单晶位错密度的测量方法
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北京有色金属研究总院
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18
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GB/T 11068-2006
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砷化镓外延层载流子浓度电容——电压测量方法
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北京有色金属研究总院
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19
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GB/T 11073-2007
|
硅片径向电阻率变化的测量方法
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峨嵋半导体材料厂
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20
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GB/T 19444-2004
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硅片氧沉淀特性的测定——间隙氧含量减少法
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洛阳单晶硅有限责任公司
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21
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GB/T 19921-2005
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硅抛光片表面颗粒测试方法
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北京有色金属研究总院
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22
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GB/T 19922-2005
|
硅片局部平整度非接触式标准测试方法
|
洛阳单晶硅有限责任公司
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23
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YS/T 37.1-2007
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高纯二氧化锗化学分析方法 硫氰酸汞分光光度法测定氯量
|
北京有色金属研究总院
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24
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YS/T 37.2-2007
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高纯二氧化锗化学分析方法 钼蓝分光光度法测定硅量
|
北京有色金属研究总院
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25
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YS/T 37.3-2007
|
高纯二氧化锗化学分析方法 石墨炉原子吸收光谱法测定砷量
|
北京有色金属研究总院
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26
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YS/T 37.4-2007
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高纯二氧化锗化学分析方法 电感耦合等离子体质谱法测定镁、铝、钴、镍、铜、锌、铟、铅、钙、铁和砷量
|
北京有色金属研究总院
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27
|
YS/T 37.5-2007
|
高纯二氧化锗化学分析方法 石墨炉原子吸收光谱法测定铁量
|
北京有色金属研究总院
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28
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YS/T 602-2007
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区熔锗锭电阻率测试方法两探针法
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云南会泽东兴集团实业有限公司
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29
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YS/T 679-2008
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非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
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有研半导体材料股份有限公司
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附件2：
审定、预审和任务落实的标准项目
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序号
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计划编号
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项目名称
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制/修订
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主起草单位
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备注
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1
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20120275-T-469
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硅单晶
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修订
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有研新材料股份有限公司
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审定
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2
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20130020-T-469
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蓝宝石衬底用高纯氧化铝
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制定
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四川鑫通新材料有限责任公司
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审定
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3
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20130021-T-469
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蓝宝石单晶晶向测定方法
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制定
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中科院上海光机所、丹东新东方晶体仪器有限公司
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审定
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4
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2012-2387T-SJ
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太阳能电池用硅片和电池片的在线光致发光测试方法
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制定
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瑟米莱伯贸易（上海）有限公司
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审定
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5
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2013-0394T-YS
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高纯锑化学分析方法 电感耦合等离子体质谱法测定Cu、Ag、Mg、Ni、Zn、Bi、Au、Mn、Fe、Cd、As、Pb的含量
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制定
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国家有色金属及电子材料分析测试中心
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审定
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6
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2013-1628T-YS
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硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法
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修订
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南京国盛电子有限公司
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预审
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7
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2013-1629T-YS
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外延钉缺陷的检验方法
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修订
|
南京国盛电子有限公司
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预审
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8
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20132165-T-469
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蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法
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制定
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天通控股股份有限公司
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讨论
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9
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20140933-T-610
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高纯二氧化锗
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修订
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南京中锗科技股份有限公司
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任务落实
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10
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20140939-T-610
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还原锗锭
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修订
|
南京中锗科技股份有限公司
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任务落实
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11
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20140955-T-610
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区熔锗锭
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修订
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云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
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任务落实
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12
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20140956-T-610
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区熔锗锭化学分析方法 第1部分 砷含量的测定 砷斑法
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制定
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云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
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任务落实
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13
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2014-1452T-YS
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多晶硅用硅粉
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修订
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洛阳中硅高科技有限公司
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任务落实
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14
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2014-1453T-YS
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硅片边缘轮廓检验方法
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修订
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洛阳单晶硅有限责任公司
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任务落实
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15
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2014-1454T-YS
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铟条
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制定
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广西德邦科技有限公司
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任务落实
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16
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2014-1455T-YS
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粗铟
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制定
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云南五鑫实业有限公司
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任务落实
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17
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2014-1456T-YS
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硅材料用高纯石英制品中杂质含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法
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制定
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亚洲硅业（青海）有限公司
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任务落实
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18
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2014-1457T-YS
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高纯四氯化锗中铜、锰、铬、钴、镍、钒、锌、铅、铁、镁、铟和砷的测定 电感耦合等离子体质谱法
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制定
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国家有色金属及电子材料分析测试中心
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任务落实
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19
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2014-1458T-YS
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高纯四氯化锗红外透过率的测定方法
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制定
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北京国晶辉红外光学科技有限公司
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任务落实
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20
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2014-1459T-YS
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硅单晶酸腐片
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制定
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天津市环欧半导体材料技术有限公司
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任务落实
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21
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2014-1460T-YS
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饰品用锗合金
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制定
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云南天浩稀贵金属股份有限公司
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任务落实
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22
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2014-1288T-YB
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硅材料用高纯石墨制品中杂质含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法
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制定
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亚洲硅业（青海）有限公司
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任务落实
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2014年半材标委年会回执
(请于2014年11月10日前发送至ysx201331@126.com或传真至010-62241898-816）
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单位名称
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通讯地址
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邮编
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姓名
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部门
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预计到达酒店时间（请在相应括号内打√）
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19日上午（ ）
19日下午（ ）
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19日20：00之后（ ）
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房间预订
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标准间：（ ）间，是否合住：是（ ），否（ ）；
大床间：（ ）间
预计入住（ ）晚
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注：
（1）11月19日报到，20～21日全天会议；
（2）为方便安排会务工作，请各参会代表务必于11月10日前回执。
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