附件1: 2003年有色金属国家标准制(修)订计划项目表
序号 |
项目编号 |
项目名称 |
制修订 |
完成 |
技术归口单位 |
主要起草单位 |
参加起草 |
采用国际国外标准 |
代替标准 |
1 |
20031795-T-610 |
液封直拉法砷化镓单晶及切割片 |
修订 |
2004 |
TC203 全国半导体材料标准化分技术委员会 |
北京有色金属研究总院 |
待定 |
|
GB/T 11093-1989 |
2 |
20031796-T-610 |
硅多晶气氛区熔磷检验方法 |
修订 |
2004 |
TC203 全国半导体材料标准化分技术委员会 |
峨嵋半导体材料厂 |
待定 |
MOD ASTM F 1723-1996 |
GB/T 4059-1983 |
3 |
20031797-T-610 |
硅多晶真空区熔基硼检验方法 |
修订 |
2004 |
TC203 全国半导体材料标准化分技术委员会 |
峨嵋半导体材料厂 |
待定 |
MOD ASTM F 1723-1996 |
GB/T 4060-1983 |
4 |
20031798-T-610 |
硅晶体间隙氧含量的红外吸收测量方法 |
修订 |
2004 |
TC203 全国半导体材料标准化分技术委员会 |
峨嵋半导体材料厂 |
待定 |
MOD ASTM F 1188;SEMI M 44-0301 |
GB/T 1557-1989 |
5 |
20031799-T-610 |
硅片径向电阻率变化的测量方法 |
修订 |
2004 |
TC203 全国半导体材料标准化分技术委员会 |
峨嵋半导体材料厂 |
待定 |
MOD ASTM F 81 |
GB/T 11073-1989 |
6 |
20031800-T-610 |
磷化镓单晶 |
制定 |
2004 |
TC203 全国半导体材料标准化分技术委员会 |
中国电子科技集团公司第十三研究所 |
待定 |
|
|
7 |
20031801-T-610 |
砷化镓单晶 |
制定 |
2004 |
TC203 全国半导体材料标准化分技术委员会 |
北京有色金属研究总院 |
待定 |
MOD SEMI M19-91 |
|
8 /T
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