2026年3月25日至27日，全国半导体材料标准工作会议在江苏省扬州市顺利召开。本次会议由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（以下简称半材标委会）主办，扬州宁达锗业科技股份有限公司协办，来自全国50余家单位的70余名代表参加了会议。会议由有色金属技术经济研究院有限责任公司副总工、半材标委会主任委员贺东江教授主持，扬州宁达锗业科技股份有限公司董事长樊红杰出席会议并讲话。
樊红杰代表扬州宁达锗业科技股份有限公司对本次会议的召开表示热烈的祝贺，对参加会议的各位领导和嘉宾表示诚挚的欢迎。樊红杰在讲话中指出，半导体材料是新一代信息技术的基石，标准是产业高质量发展的“通行证”。在全球科技博弈日趋激烈的今天，谁掌握核心材料，谁就掌握产业命脉；谁主导技术标准，谁就赢得未来话语权。扬州宁达锗业科技股份有限公司自成立以来，始终聚焦高纯金属及化合物半导体材料的研发与制造，深度参与国家新材料标准体系建设，以标准引领技术研发，以标准规范产品质量，以标准赋能产业协同。樊红杰表示，扬州宁达锗业科技股份有限公司将以本次会议为契机，继续加大研发投入，深化产学研协同，与行业同仁携手共进，共同推动我国半导体材料产业向高端化、标准化、国产化迈进，为我国半导体产业自主可控贡献宁达力量！最后，樊红杰预祝本次会议取得圆满成功！
贺东江教授感谢扬州宁达锗业科技股份有限公司及各参会单位对标准化工作的大力支持，他在讲话中指出，标准既是对创新成果的固化，也是实现产业协同发展的平台，半导体材料标准化工作的开展应紧紧围绕国家“十五五”规划和各项产业政策的要求，持续挖掘我国产业的潜力，加强产业链上下游联动，发挥好标准的基础性、规范性和引领性作用。同时，半导体材料标准化工作将继续以需求为牵引，坚持全球视野，对标国际先进水平，不断完善和丰富标准体系，赋能全产业链，通过标准给行业注入更强劲的动力，实现从中低端市场向高端市场的突破，为半导体材料高质量发展做出更大贡献。
随后，李素青秘书长明确了本次会议的任务及要求，并对接下来会议做出了具体的安排。
全体会议结束后，会议分两组对《氮化铝单晶位错密度测试方法》等11项半导体材料标准进行审定、预审和讨论。
会议在完成各项议程后圆满结束。
