10月25日上午召开了全体大会，会议由全国半导体材料标准化分技术委员会秘书长贺东江主持。王琦代表会议协办方对各位与会代表表示热烈欢迎，同时，王琦介绍了东莞中镓的产业规模及今后发展方向，目前中镓已建成国内首家专业的氮化镓（GaN）衬底材料生产线并能够稳定生产，相关产品技术达到国际先进乃至国际领先水平，形成世界一流的国内最大型的衬底材料及半导体设备的生产基地。会上，贺东江秘书长向各位代表介绍了半导体标委会的各项工作进程，对本次会议的任务进行了安排，并结合当前国内外市场形势，提出下一步工作计划和要求。
全体大会结束后，会议分俩组进行，对包括《半导体材料牌号表示方法》在内的16项半导体材料标准项目进行了审定、预审及讨论。与会专家对各项目进行逐条认真的讨论，提出修改意见并形成会议纪要。
会议圆满完成各项议程后顺利闭幕。
