2015年度第一次半导体材料标准工作会议顺利召开
2015-06-04 16:32:31   来源：    点击：

      2015年5月27日～29日，在云南省昆明市召开了2015年度第一次半导体材料标准工作会议。本次会议由全国半导体材料标准化分技术委员会主办，云南临沧鑫圆锗业股份有限公司协办，来自全国33家单位的52名专家代表参加了会议。

      会议由全国半导体材料标准化分技术委员会秘书长贺东江主持。普世坤总工作为协办单位代表致欢迎辞，并介绍了云南临沧鑫圆锗业股份有限公司的概况、主要产品、标准制修订情况等。贺东江秘书长介绍了硅、锗、铟材料的现状，提出面对硅材料国内外竞争激烈，形势错综复杂，以及锗、铟价格的大幅下滑，整个行业更应团结一致，做好技术基础工作，降低成本，挖掘材料的其他用途，度过难关。

    全体会议结束后，分两组对标准项目进行了充分讨论。
    硅材料组包括2项审定项目《硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法》、《外延钉缺陷的检验方法》，4项讨论项目《200mm硅外延片》、《硅单晶腐蚀片》、《电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》和《硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅里叶变换红外光谱法》。其中《电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》和《硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅里叶变换红外光谱法》确定了新特能源股份有限公司、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、乐山市产品质量监督检验所等6家单位作为复验单位。

    锗、铟材料组包括2项铟标准《铟条》、《粗铟》，9项锗标准分别为《饰品用锗合金》、《锗精矿单位产品能源消耗限额》、《锗单晶安全生产规范》、《区熔锗锭安全生产规范》、《羧乙基锗倍半氧化物化学分析方法》、《锗行业清洁生产评价指标体系》《高纯四氯化锗中铜、锰、铬、钴、镍、钒、锌、铅、铁、镁、铟和砷的测定 电感耦合等离子体质谱法》、《高纯四氯化锗红外透过率的测定方法》、和《低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法》等。
    最后，与会专家通过了各项标准的修改意见，确定了任务安排要求，形成了会议纪要，本次会议顺利结束。