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半导体材料技术标准优秀奖公示
2014-11-04 10:46:33   来源:    点击:

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关于对2014年度“全国半导体材料技术标准优秀奖”
评选结果进行公示的函
 

各会员单位及各位委员:
    根据《关于申报2014年度“全国半导体材料技术标准优秀奖”的通知》(半材标委[2014]12号)的要求,各会员单位积极申报标准优秀奖项目共4项。标委会秘书处于2014年10月31日在北京组织召开了专家评审会,共评选出一等奖1名,二等奖1名,三等奖2名(具体项目见附件)。特此网上公示,征求全体委员和各会员单位的意见,意见反馈截止日为11月10日。
 
 
    附件:2014年度“半导体材料技术标准优秀奖”获奖项目名单
 
 
 

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附件:

2014年度“半导体材料技术标准优秀奖”获奖项目名单

序号 项目名称 起草单位 起草人
一等奖
1 蓝宝石产品及系列方法标准 蓝宝石单晶晶锭;
蓝宝石单晶衬底抛光片;
蓝宝石晶锭应力测试方法;
蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法;
蓝宝石衬底片翘曲度测试方法;
蓝宝石衬底片弯曲度测试方法
江苏协鑫软控设备科技发展有限公司、协鑫光电科技控股有限公司、中国科学院上海光学精密机械研究所、浙江昀丰新能源科技有限公司、浙江上城科技有限公司、江苏吉星新材料有限公司、常州亿晶光电科技有限公司、新疆紫晶光电技术有限公司、北京合能阳光新能源技术有限公司 薛抗美、黄修康、魏明德、黄朝晖、刘逸枫、杭寅、徐永亮、袁忠纯、蔡金荣、徐养毅、吴剑波、赵新俭、夏根平、肖宗杰、林清香
二等奖
2 改良西门子法生产多晶硅企业安全标准化实施指南 江苏中能硅业科技发展有限公司、峨嵋半导体材料研究所、中国有色金属工业标准计量质量研究所、新特能源股份有限公司、内蒙古神舟硅业有限责任公司 万金平、杜俊辉、丁国江、葛冬松、彭咏梅、姜洪涛、贺东江、胡乐沙、银波、刘秀兵、白洁、刘坚栋、李年勤
三等奖
3 氮化镓系列方法标准 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法;
氮化镓单晶衬底片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法;
氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、中国科学院物理研究所、北京天科合达蓝光半导体有限公司 刘争晖、邱永鑫、曾雄辉、徐科、王建峰、钟海舰、徐耿钊、樊英民、任国强、张燚、董晓鸣、牛牧童、陈小龙、王文军、郑红军
4 太阳能电池用锗衬底片 中锗科技有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、厦门乾照光电有限公司、天津三安光电有限公司 孙小华、刘绍良、张莉萍、普世坤、王向武、林桂江

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